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      【會議通知】2024年第三屆第三代半導體材料技術與市場研討會

      發布時間:2023-12-06
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      第三代半導體材料是以碳化硅、氮化鎵為代表的寬禁帶半導體材料,有許多不可替代的優異性質,應用領域廣泛,是國家重大需求和國際高科技產業競爭的關鍵領域之一,正處于產業化的關鍵窗口期。

      以碳化硅為襯底制成的功率器件相比硅基功率器件,具有耐高壓、耐高溫、能量損耗低、功率密度高等優勢,可實現功率模塊小型化、輕量化。主要應用于新能源汽車/充電樁、光伏發電、智能電網、軌道交通、航空航天等領域。氮化鎵作為寬禁帶半導體的“門面”之一,隨著技術的不斷升級,性能被進一步開發,開始強勢“破圈”,不再局限于快充等消費電子市場,而是向新能源汽車、數據中心、可再生能源等高速發展的熱門領域持續推進。數據顯示,2022年全球氮化鎵功率器件市場規模為1.8億美元,到2026年將有望達13.3億美元,年均復合增長率達65%。

      第三代半導體寫入“十四五”規劃后,市場上對該半導體的需求和要求越來越高,市場規模將持續穩定升高,行業也將在市場的催化下迭代升級,產品性能功能也將不斷完善。未來,在市場規模趨勢方面,我國第三代半導體行業將持續保持高速增長;在細分產品發展趨勢方面,SiC需求將會增長,GaN應用場景將進一步拓展;在技術發展趨勢方面,大尺寸Si基GaN外延等問題將會有所進展。

      半導體在線分別于2022年8月、2023年3月在蘇州組織了第一屆和第二屆第三代半導體會議,與會人員累計超過1500人,并得到了與會者的一致好評。為了促進第三代半導體材料領域的相互交流與合作,半導體在線將于2024年3月28日-29日(27日簽到)在蘇州組織召開2024年第三屆第三代半導體材料技術與市場研討會,旨在提供協同創新的高質量交流平臺,推動國內第三代半導體材料的學術研究、技術進步和產業發展。

      主辦單位

      半導體在線

      時間和地址

      時間:2024年3月28日-29日(3月27日簽到)

      地點:江蘇蘇州

      會議議題

      SiC、GaN等生長與外延技術

      SiC、GaN等生長裝備和其他裝備

      SiC、GaN等器件及測試分析技術

      SiC、GaN等器件封裝模塊、系統解決方案及應用

      會議形式

      主要通過主題發言、現場討論的形式,也歡迎材料企業、設備企業安排小型展覽。會議期間還將組織演講嘉賓或行業資深專家們與參會代表互動進行自由討論。為了共同辦好這次會議, 熱烈歡迎各企業、科研院所贊助本次會議,并借此機會提高知名度。

      會議注冊費

      會議注冊費:(僅含會議期間提供午、晚餐及茶歇、會議資料)

      2024年2月29日前完成注冊及繳費:2000元/人;

      2024年3月22日前完成注冊及繳費:2300元/人;

      2024年3月23日后完成注冊及繳費:2600元/人。


      開票注意事項:

      增值稅普通發票請提供單位名稱及稅號。

      如果需要增值稅專用發票,請提供單位名稱、稅號、地址、電話、開戶行、賬號。接收郵箱:bandaotibj@163.com

      組委會聯系方式

      參會、參展、宣傳及贊助事宜

      聯系人:劉經理

      聯系電話:13521337845(微信同號)

      聯系人:秦經理

      聯系電話:18513072168(微信同號)


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